IPA60R199CP


IPA60R199CP (заказ)
IPA60R199CP

Технические характеристики IPA60R199CP

Rds On (Max) @ Id, Vgs199 mOhm @ 9.9A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияCoolMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1520pF @ 100V
Power - Max34W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack
КорпусPG-TO-220-FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru