BSZ180P03NS3E G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 39.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 48µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2220pF @ 15V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
