BSV236SP
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 8µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 228pF @ 15V |
| Power - Max | 560mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | PG-SOT363-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
