BSS816NW
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-323 |
| Корпус | PG-SOT323-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
