BSS806N
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 529pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
