BSS306N


Купить BSS306N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSS306N
Версия для печати

Технические характеристики BSS306N

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 2.3A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds275pF @ 15V
Power - Max500mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусPG-SOT23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход