BSS127

Версия для печати

Технические характеристики BSS127

Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	21mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 8µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	28pF @ 25V
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.