BSP321P


Купить BSP321P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSP321P
Версия для печати

Технические характеристики BSP321P

Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 980mA, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияSIPMOS®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C980mA
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 380µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds319pF @ 25V
Power - Max1.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-261-4, TO-261AA
КорпусPG-SOT223-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход