BSL806N
|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 259pF @ 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP |
| Корпус | PG-TSOP6-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru