BSF024N03LT3 G


Купить BSF024N03LT3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSF024N03LT3 G
Версия для печати

Технические характеристики BSF024N03LT3 G

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 20A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C106A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5500pF @ 15V
Power - Max42W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)MG-WDSON-2
КорпусPG-MG-WDSON-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход