BSC072N025S G


Купить BSC072N025S G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSC072N025S G
Версия для печати

Технические характеристики BSC072N025S G

Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2 mOhm @ 40A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C40A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2230pF @ 15V
Power - Max60W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TDSON-8 (5.15x6.15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход