BSC046N02KS G
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4100pF @ 10V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
