BSC034N03LS G


Купить BSC034N03LS G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSC034N03LS G
Версия для печати

Технические характеристики BSC034N03LS G

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs52nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4300pF @ 15V
Power - Max57W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-PowerTDFN
КорпусPG-TDSON-8 (5.15x6.15)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход