BSB012N03LX3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 180A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 169nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 16900pF @ 15V |
| Power - Max | 89W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | MG-WDSON-2 |
| Корпус | PG-MG-WDSON-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
