BS170RLRMG


BS170RLRMG (заказ)
BS170RLRMG

Технические характеристики BS170RLRMG

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C500mA
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
Power - Max350mW
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru