AUIRF1010EZS


Купить AUIRF1010EZS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
AUIRF1010EZS
Версия для печати

Технические характеристики AUIRF1010EZS

Input Capacitance (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs86nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C75A
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5 mOhm @ 51A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max140W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход