NTMS4920NR2G


Купить NTMS4920NR2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMS4920NR2G
Версия для печати

Технические характеристики NTMS4920NR2G

Power - Max820mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4068pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs58.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 mOhm @ 7.5A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход