NTF6P02T3G


Купить NTF6P02T3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTF6P02T3G
Версия для печати

Технические характеристики NTF6P02T3G

Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 6A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1200pF @ 16V
Power - Max8.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-261-4, TO-261AA
КорпусSOT-223
Product Change NotificationSpecification Change MSL Updated 2/April/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход