IRF6610TR1
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1520pF @ 10V |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric SQ |
| Корпус | DIRECTFET™ SQ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
