BSS192P
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 190mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 104pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-89-3 |
| Корпус | PG-SOT89-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
