MTW32N20EG


Купить MTW32N20EG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MTW32N20EG
Версия для печати

Технические характеристики MTW32N20EG

Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 16A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C32A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход