FDZ191P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDZ191P (ON SEMICONDUCTOR.)	1	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDZ191P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 10V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-UFBGA, WLCSP
Корпус	6-WLCSP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.