FDC638APZ
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FPF1009R |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
 |
LP8550TLE/NOPB |
|
National Semiconductor |
|
|
|||
|
|
LP8550TLE/NOPB |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
PVN012S | 4 | 471.75 | |||||
|
|
PVN012S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
PVN012S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
PVN012S | INFINEON |
|
|
||||
|
|
SSM6N15FE(TE85L,F) |
|
Toshiba |
|
|
|||
|
|
SSM6N15FE(TE85L,F) |
|
TOSHIBA |
|
|
