IRF7492TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7492TRPBF (INFINEON)	899	90.39
IRF7492TRPBF (VBSEMI)	92	99.12

Версия для печати

Технические характеристики IRF7492TRPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	79 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1820pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.