IRL8113SPBF


Купить IRL8113SPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRL8113SPBF
Версия для печати

Технические характеристики IRL8113SPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C105A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 21A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2840pF @ 15V
Power - Max110W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход