Версия для печати
Технические характеристики IRFZ44ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 31A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1420pF @ 25V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FSC
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAI/QTC
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	США
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIRCHILD	13
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль		1	146.16
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONS	184	73.63
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	YOUTAI	18 044	9.97
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	UMW-YOUTAI
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	UMW
		MOC3061M		Оптосимистор 7.5kV 600V 60mA Iоткр=15mA Схема перехода через ноль	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 838	8.93
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		TEN 25-2411		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 5В/5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...	TRACO	216	6 636.98
		TEN 25-2411		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 5В/5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...
		TEN 25-2412		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 12В/2.5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...	TRACO
		TEN 25-2412		DC/DC, 25Вт, вход 18:36В, выход 12В/2.5А, изоляция 1500В DC, корпус 50.8х40.6х9.3мм, ...
		КЦ106В				12	20.35
		КЦ106В			ФОТОН	84	42.00
		КЦ106В			СЗТП	8	83.16
		КЦ106В			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"