IRFH5015TR2PBF
|
Версия для печати
| Power - Max | 3.6W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2300pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 34A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
