PBSS5230T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS5230T (YJ)	2 398	2.54

Версия для печати

Технические характеристики PBSS5230T

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 200mA, 2A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 2V
Power - Max	480mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.