NSS40600CF8T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NSS40600CF8T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	2 688	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NSS40600CF8T1G

Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	220mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 1A, 2V
Power - Max	830mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.