TCSCS1C475MBAR


Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В

Купить TCSCS1C475MBAR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
TCSCS1C475MBAR
Версия для печати

Технические характеристики TCSCS1C475MBAR

ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
Номинальное напряжение16 В
Допуск емкости±20%
Емкость4.7 мкФ
Код корпусаB
МонтажSMD_3528-21
Размер корпуса3.5x2.8x1.9 мм
Рабочая температура-55...125 °C
standard type smaller version
СерияSCS
Корпус (размер)3528-21
Тип монтажаПоверхностный
ТипЭлектролитический танталовый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    ECAP 1/100V 0511 105C RD Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 100 В   SAMWHA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.01 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В     Заказ радиодеталей 7.36 
    К73-17-100-0.01 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.01 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 100 В   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.015 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.015 мкФ 100 В     Заказ радиодеталей 8.48 
    К73-17-100-0.015 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.015 мкФ 100 В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.015 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.015 мкФ 100 В   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.068 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В     Заказ радиодеталей 8.48 
    К73-17-100-0.068 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
    К73-17-100-0.068 10% Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 100 В   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный     476 12.88 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   КРЕМНИЙ 612 13.23 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   БРЯНСК 340 16.80 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   МИНСК 2 116 15.75 
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ВОРОНЕЖ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г1 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный   ТРАНЗИСТОР 3 12.10 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход