Версия для печати
Технические характеристики NCP1013AP133G

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Мощность (Ватт)	19W
Напряжение выходное	700V
Напряжение входное	8.5 V ~ 10 V
Частотный диапозон	117 ~ 143kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		426	259.07
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	504	374.91
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	2	382.28
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	YAGEO
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	YAGEO
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	122	49.14
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8			58.92
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"