KNP500JT-91-4R7

Версия для печати

Технические характеристики KNP500JT-91-4R7

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	4.7 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	5 Вт
Тип монтажа	Axial
Температурный коэффициент сопротивления	±300ppm/K
Размер корпуса	ф 8x24.5 мм
Рабочая температура	-40...200 °C
	Wirewound Resistor

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CW68 100/710 101K		COILS
CW68 100/710 101K				13.00
CW68 100/710 101K		R6
CW68 100/710 101K		CECIH
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	DC COMPONENTS	9 276	4.70
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	MIC
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1		7 242	2.87
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Diodes Inc
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Micro Commercial Co
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRON
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	КИТАЙ
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRONICS
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YJ	15 200	6.22
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	HOTTECH	712	6.20
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE (YJ)
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	SEP
DB104	Диодный мост 1А, 400В, DB-1	272
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	MURATA
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой			69.64
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	Murata Electronics North America
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	MUR
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	MUR/TP
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	TOKYO PARTS	800	50.63
PLA10AS3021R3R2B	Фильтр сетевой	TOKYOPARTS	240	99.45
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		592	11.04
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	452	24.99
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		8 344	11.04
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	15 200	13.58
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	2 800	21.70
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД510А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20	80	1.21