Версия для печати
Технические характеристики RC1206JR-071R2

Сопротивление (Ом)	1.2
Серия	RC1206
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Высота	0.026" (0.65mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт		79	213.13
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FSC
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIRCHILD
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS	560	370.48
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS-FAIR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR/ONS	160	196.31
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONSEMICONDUCTOR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS	647	148.68
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR
		RC1206JR-0722R		Резистор SMD, 1206, 22 Ом, 0.25Вт, 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0722R		Резистор SMD, 1206, 22 Ом, 0.25Вт, 5%	YAGEO
		RC1206JR-0722R		Резистор SMD, 1206, 22 Ом, 0.25Вт, 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0722R		Резистор SMD, 1206, 22 Ом, 0.25Вт, 5%	YAGEO
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	BOURNS	4 193	19.38
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...			75.20
		RLB0914-470KL		Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...	ВОURNS
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	4 468	40.08
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8			58.92
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"