| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
2 385
|
3.57
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
16 292
|
2.34
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
54 203
|
2.26
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
224
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 359
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
160
|
1.76
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
3 200
|
2.42
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
80
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BZX55C62 |
|
Стабилитрон 0,5W ZPD 62V
|
|
|
10.00
|
|
|
|
BZX55C62 |
|
Стабилитрон 0,5W ZPD 62V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C62 |
|
Стабилитрон 0,5W ZPD 62V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C62 |
|
Стабилитрон 0,5W ZPD 62V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
SK025M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK025M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK025M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK025M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK025M2200B5S-1325 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 25 В
|
|
|
|
|
|
|
|
XPCWHT-L1-0000-009A5 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
|
XPCWHT-L1-0000-009A5 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
|
XPCWHT-L1-0000-009A5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
|
860
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
КРЕМНИЙ
|
3 520
|
54.76
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
БРЯНСК
|
13 217
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
МИНСК
|
7 976
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
1000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
10000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
11366
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
27
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
4794
|
|
|
|