SKM145GB128DN
|
Версия для печати
| Производитель | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. |
| Количество в упаковке | 8 шт. |
| Вес | 164.000 г |
| Технология | SPT |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора | 190А @ 25°C А |
| Номинальный ток коллектора | 100 А |
| Vкэ откр. | 1.90В @ 25°C В |
| 22.00мДж @ 125°C mJ | |
| Rth(j-c) (per IGBT) | 0.165 K/W |
| Цепь | GB |
| Семейство | SEMiTRANS |
| Корпус (размер) | SEMITRANS2N |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM311 |
|
|
||||||
| SKKD260/08 | SMK |
|
|
|||||
| SKKD260/08 |
|
45 815.00 | ||||||
| VS-HFA30PB120-N3 | VISHAY | 1 120 | 335.06 | |||||
| VS-HFA30PB120-N3 |
|
|
||||||
| К 142 ЕН8В | RUS |
|
|
|||||
 |
 |
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 1 | 277.50 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
