TDA4863G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Mode | Discontinuous Conduction (DCM) |
| Current - Startup | 20µA |
| Напряжение питания | 12.5 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | PG-DSO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PS2561-1 | NEC |
|
|
||||
|
|
PS2561-1 |
|
18.40 | |||||
|
|
PS2561-1 | CEL |
|
|
||||
|
|
PS2561-1 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||||
|
|
PS2561-1 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||||
|
|
PS2561-1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 160 |
|
||||
 |
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
