Версия для печати
Технические характеристики SiS902DN-T1-GE3
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 186 mOhm @ 3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 175pF @ 38V |
| Power - Max | 15.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
