NTGD4169FT1G
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-74, SOT-457 |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
