IRF7901D1G
|
Версия для печати
| Производитель | International Rectifier Corporation |
| Схема сборки | DUAL N |
| Максимальное рабочее напряжение | 30 В |
| Напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип 1-го транзистора | N |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Тип 2-го транзистора | N |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Корпус (размер) | SO-8 |
| HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
