Версия для печати
Технические характеристики SI5519DU-T1-GE3
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6A, 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Power - Max | 2.27W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Корпус | PowerPAK® ChipFet Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
