NTLJD3119CTAG


NTLJD3119CTAG (заказ)
NTLJD3119CTAG

Технические характеристики NTLJD3119CTAG

Input Capacitance (Ciss) @ Vds271pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max710mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-WDFN Exposed Pad
Корпус6-WDFN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru