IRF7101PBF
2N-
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B |
|
442.36 | |||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | 4-7 НЕДЕЛЬ | 398 |
|
||
| К 174 ХА6, (1990-97Г) | RUS |
|
|
|||||
| К174ХА26 | 1 295 | 37.00 | ||||||
| К174ХА26 | АНГСТРЕМ |
|
|
|||||
| К174ХА26 | ДЕЛЬТА |
|
|
|||||
| К174ХА26 | ДИСК |
|
|
|||||
| К174ХА26 | НАЛЬЧИК |
|
|
|||||
| К174ХА26 | RUS |
|
|
|||||
 |
 |
К 554 СА3А |
|
Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В |
|
|
||
|
|
|
К 554 СА3А |
|
Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В | RUS |
|
|
|
| С2-23 -0.25 ВТ 100 ОМ 5% |
|
|
