Версия для печати
Технические характеристики EC24-681K

Производитель	KLS ELECTRONICS CO.,LTD
Номинальная индуктивность	680 мк Гн
Ток номинальный	0.075 А
Частота тестирования	0.796 МГц
Резонансная частота минимальная	2 МГц
Типовое омическое сопротивление	18000 мОм
Добротность типичная на частоте 1	70
Тип монтажа	Axial
Магнитное экранирование	Нет
Размер корпуса	ф 3x8 мм

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		65 600	1.86  >100 шт.   0.93
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.76
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	309 431	1.80
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	178 013	1.78
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	1 078	2.83
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	39 048	2.62
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	330	1.51
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	67 232	2.04
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGZHOU YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KEEN SIDE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	9156
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	RUME	2 400	1.78  >100 шт.   0.89
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	TRR	4 800	1.01
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	XXW	92 643	1.64  >100 шт.   0.82
		CC0805KKX5R7BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В	YAGEO	60	4.88
		CC0805KKX5R7BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В
		CERCAP 0.1/50V 0805 ZY5V		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	YAGEO
		CERCAP 0.1/50V 0805 ZY5V		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В
		CERCAP 0.1/50V 0805 ZY5V		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	SAMSUNG
		SK56B			KLS
		SK56B			SUNTAN
		SK56B			HOTTECH	3 870	3.45
		SK56B			ASEMI	28	6.49
		SK56B			KOME
		SK56B			KEEN SIDE	7 197	4.31
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	VISHAY
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAMSUNG
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAM
		TECAP 10/16V A 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"