|
|
Версия для печати
| Производитель | BOURNS, INC. |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| Вес | 0.200 г |
| Номинальная индуктивность | 1 м Гн |
| Допуск индуктивности | ±10% |
| Ток насыщения на 20С | 0.135 А |
| Ток RMS | 0.11 А |
| Частота тестирования | 0.252 МГц |
| Резонансная частота минимальная | 3 МГц |
| Максимальное омическое сопротивление | 11500 мОм |
| Добротность типичная на частоте 1 | 40 |
| Тип монтажа | SMD |
| Магнитное экранирование | Нет |
| Размер корпуса | 5.0x4.8x3.0 мм |
| Рабочая температура | -40...125 °C |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
LQH32MN4R7K23L |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQH32MN4R7K23L |
|
MUR | 12 995 | 5.61 | ||
|
|
|
LQH32MN4R7K23L |
|
MURATA |
|
|
||
|
|
|
LQH32MN4R7K23L |
|
|
|
|||
| LQW18ANR39G00D | MUR | 11 325 | 2.19 | |||||
| LQW18ANR39G00D |
|
|
||||||
| LQW18ANR39G00D | MURATA | 200 | 4.77 | |||||
| NCP551SN33T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP551SN33T1G | 4 800 | 21.72 | ||||||
| NCP551SN33T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP551SN33T1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP551SN33T1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 414 |
|
|||||
| NCP551SN50T1G |
|
|
||||||
| NCP551SN50T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP551SN50T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP551SN50T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP551SN50T1G |
|
|
||||||
| NCP551SN50T1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 739 |
|
|||||
| RC0805JR-07300KL (RS-05K304JT) 0805-300 КОМ 5% | FENGHUA |
|
|