SJ050M0220B5S-1015
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 50 В
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Емкость | 220 мкФ |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.1 |
| Эквивалентное последовательное сопротивление | 42 мОм |
| Максимальный ток пульсаций | 1.37 А |
| Шаг выводов | 5 мм |
| Срок службы | 5000 Ч |
| Особенности | no Lead Cut / Standard |
| Размер корпуса | ф 10x15 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| Low impedance and High ripple | |
| Серия | SJ |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
15KPA58A |
|
Littelfuse Inc |
|
|
||
|
|
|
15KPA58A |
|
|
|
|||
 |
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz | HITACHI |
|
|
|
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz | HIT |
|
|
|
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz |
|
15.20 | ||
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz | КИТАЙ |
|
|
|
 |
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | YAGEO | 288 692 |
1.24 >100 шт. 0.62 |
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В |
|
|
||
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7R0BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206, 100В | YAGEO |
|
|
|
 |
|
IHLP6767GZER4R7M11 |
|
Vishay/Dale |
|
|
||
|
|
|
IHLP6767GZER4R7M11 |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
IHLP6767GZER4R7M11 |
|
|
|
|||
 |
|
MJE253G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MJE253G |
|
6 | 149.94 | |||
|
|
|
MJE253G |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
MJE253G |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
MJE253G |
|
1 |
|
|
