Версия для печати
Технические характеристики MAL202136101E3

Производитель	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	25 В
Срок службы	2500 Ч
Особенности	BA, Taped Ammo
Размер корпуса	ф 6x10
Рабочая температура	-40...85 °C
Код производителя	222202136101
Емкость	100 мкФ
Серия	021ASM
Корпус (размер)	Axial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage Rating	25V
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Lifetime @ Temp.	2500 Hrs @ 85°C
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Возможности	General Purpose
Ripple Current	150mA
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.300 Ohm
Impedance	1.2 Ohm
Size / Dimension	0.236" Dia x 0.394" L (6.00mm x 10.00mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический алюминиевый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.10
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	6 341	1.65
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	35 445	2.02
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA	2 164	2.10
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	1.72
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	114 415	1.36  >100 шт.   0.68
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	306 086	1.12  >100 шт.   0.56
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	18 161	1.18  >100 шт.   0.59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	236	1.15
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KEEN SIDE	1 956	1.04  >100 шт.   0.52
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	VISHAY
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А			171.60
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	Vishay/Siliconix
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	КИТАЙ
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	SILICONIX
		IRFBG30		Транзистор полевой N-канальный 1000В 3.1А	TOKMAS	1 952	41.10
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	YAGEO
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SB035M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	YAGEO
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UCC38C45D			TEXAS INSTRUMENTS	646	94.50
		UCC38C45D
		UCC38C45D
		UCC38C45D			4-7 НЕДЕЛЬ	105

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"