CA050M0220REG-1010

Версия для печати

Технические характеристики CA050M0220REG-1010

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.12
Эквивалентное последовательное сопротивление	720 мОм
Максимальный ток пульсаций	0.31 А
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 10x10
Рабочая температура	-40...85 °C
	Surface Mount Aluminum electrolytic
Номинальное напряжение	50 В
Серия	CA
Емкость	220 мкФ
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM15AG221SN1D		MURATA	2 480	1.03
BLM15AG221SN1D		MURATA
BLM15AG221SN1D		Murata Electronics North America
BLM15AG221SN1D
BLM15AG221SN1D		MUR	41 706	0.85 >1000 шт. 0.17
BLM15AG221SN1D		MURATA*
BLM15AG221SN1D		0.00
L9637D	Микросхема ISO INTERFACE -40/+85°C	ST MICROELECTRONICS
L9637D	Микросхема ISO INTERFACE -40/+85°C		1	167.24
L9637D	Микросхема ISO INTERFACE -40/+85°C	STMicroelectronics
L9637D	Микросхема ISO INTERFACE -40/+85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	696
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ON SEMICONDUCTOR
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ONS	3 040	7.23
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ON SEMICONDUCTOR	2 529
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
MMSD4148T1G	Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)	ONSEMI	27 936	1.18 >100 шт. 0.59
PLLD1.27-10A		KLS
PLLD1.27-10A
RC0805FR-071K1L		YAGEO	158 515	0.70 >1000 шт. 0.14
RC0805FR-071K1L			3 760