|
|
Версия для печати
| Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| Допуск емкости | ±5% |
| Номинальное постоянное напряжение | 50 В |
| Тип диэлектрика | C0G |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Tin Plated Layer | |
| Размер | 2.0x1.2x0.6 |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Температурный коэфициент | C0G |
| Емкость | 2400 пФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 0805 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Size / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Thickness | 0.028" (0.70mm) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-X7R-0.12UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.12 мкФ 50 В | KOME |
|
|
|||
| 1206-X7R-0.12UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.12 мкФ 50 В | 8 | 2.44 | ||||
|
|
|
MC33178DR2 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
MC33178DR2 |
|
|
||||
|
|
|
MC33178DR2 | ON SEMICONDUCTOR | 974 |
|
|||
| MC33179DR2G |
|
4xOp-Amp +-2.18V LN | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MC33179DR2G |
|
4xOp-Amp +-2.18V LN | ONS |
|
|
|||
| MC33179DR2G |
|
4xOp-Amp +-2.18V LN | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MC33179DR2G |
|
4xOp-Amp +-2.18V LN |
|
|
||||
| MC33179DR2G |
|
4xOp-Amp +-2.18V LN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 740 |
|
|||
|
|
TL062IDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TL062IDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TL062IDR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TL062IDR |
|
|
|||||
| TLC2254ID | TEXAS INSTRUMENTS | 2 | 105.00 | |||||
| TLC2254ID |
|
|
||||||
| TLC2254ID | TEXAS |
|
|
|||||
| TLC2254ID | 4-7 НЕДЕЛЬ | 176 |
|