Версия для печати
Технические характеристики GRM2165C1H220JZ01D

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Допуск емкости	±5%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	C0G
Рабочая температура	-55...125 °C
	Tin Plated Layer
Размер	2.0x1.2x0.6
Номинальное напряжение	50 В
Температурный коэфициент	C0G
Емкость	22 пФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	0805
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Thickness	0.028" (0.70mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 605	21.34
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	929	10.40
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 740	8.29
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.42
		CC0805KKX5R7BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В	YAGEO	655 588	1.28  >100 шт.   0.64
		CC0805KKX5R7BB106		Керамический конденсатор 10 мкФ 16 В
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт		320	10.00
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	VISHAY	7 741
		CRCW080510K0FKEA		Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт	Vishay/Dale
		RC0805FR-0715KL			YAGEO	353 944	0.55  >1000 шт.   0.11
		RC0805FR-0715KL			YAGEO	77 332
		RC0805FR-0715KL
		РПК-01-8000КГЦ					76.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"