|
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 1 кВ |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Multilayer chip capacitance | |
| Размер | 3.2x2.5x2.5 |
| Номинальное напряжение | 1 кВ |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Емкость | 0.01 мкФ |
| Серия | CC_1210 |
| Корпус (размер) | 1210 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% | Vishay/Dale |
|
|
|
|
|
|
CRCW2512330RJNEG |
|
Резистор чип для поверхностного монтажа 330Ом, 500В, 1Вт, 1% |
|
|
||
| CRCW251268R0JNEG | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW251268R0JNEG | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW251268R0JNEG | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW251268R0JNEG |
|
|
||||||
| SS8PH10-M3/86A | VISHAY |
|
|
|||||
| SS8PH10-M3/86A | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SS8PH10-M3/86A | 7 920 |
|
||||||
| SS8PH10-M3/86A | 7 920 |
|
||||||
|
|
STM1001SWX6F | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
STM1001SWX6F |
|
82.00 | |||||
|
|
STM1001SWX6F | ST MICROELECTRONICS SEMI | 2 536 |
|
||||
|
|
STM1001SWX6F | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
STM1001SWX6F | 4-7 НЕДЕЛЬ | 217 |
|
||||
|
|
|
TNPW2512162RBEEY |
|
Vishay/Dale |
|
|